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低價(jià)供應(yīng)XEDCP超低頻耐壓試驗(yàn)裝置接合現(xiàn)代數(shù)字變頻先進(jìn)技術(shù)，采用微機(jī)控制，自動(dòng)升壓、降壓、放電，運(yùn)有光電控制輸出0.1HZ正弦波，并且在自動(dòng)升壓過程中能進(jìn)行人工干預(yù)。由于全電子化，所以體積小重量輕，大屏幕液晶顯示，清晰直觀，且能顯示輸出波形并帶打印輸出。
更新時(shí)間：2025-10-16
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XEDCP超低頻耐壓試驗(yàn)裝置
產(chǎn)品簡介
1、80KV系列超低頻交流高壓試驗(yàn)裝置規(guī)格：80KV/0.5μF（智能/全自動(dòng)），適用35kV電壓電纜、電力電容器、大中型發(fā)電機(jī)和電動(dòng)機(jī)試驗(yàn)。
2、接合現(xiàn)代數(shù)字變頻先進(jìn)技術(shù)，采用微機(jī)控制，自動(dòng)升壓、降壓、放電，運(yùn)有光電控制輸出0.1HZ正弦波，并且在自動(dòng)升壓過程中能進(jìn)行人工干預(yù)。由于全電子化，所以體積小重量輕，大屏幕液晶顯示，清晰直觀，且能顯示輸出波形并帶打印輸出。設(shè)計(jì)指標(biāo)*符合《電力設(shè)備測試儀器通用技術(shù)條件，第4部分：超低頻高壓發(fā)生器通用技術(shù)條件》電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，使用方便。
現(xiàn)在國內(nèi)外均采用機(jī)械式的辦法進(jìn)行調(diào)制和解調(diào)產(chǎn)生超低頻信號(hào)，所以存在正弦波波形不標(biāo)準(zhǔn)，測量誤差大，高壓部分有火花放電，設(shè)備笨重，而且正弦波的二，四象限還需要大功率高壓電阻進(jìn)行放電整形，所以設(shè)備的整體功耗較大。本產(chǎn)品均能克服這樣一些不足之處，另外保護(hù)功能設(shè)計(jì)如下：
3、過壓保護(hù)：當(dāng)超過所設(shè)定的試驗(yàn)電壓值的百分之十時(shí)（或1.1倍），儀器將停機(jī)保護(hù)，動(dòng)作時(shí)間小于20毫秒。
4、過流保護(hù)：設(shè)計(jì)為高低壓雙重保護(hù)，高壓側(cè)可按設(shè)定值進(jìn)行精確停機(jī)保護(hù)；低壓側(cè)的電流超過額定電流時(shí)將進(jìn)行停機(jī)保護(hù)，動(dòng)作時(shí)間都小于20毫秒。
XEDCP超低頻耐壓試驗(yàn)裝置
產(chǎn)品特點(diǎn)
1、80KV系列超低頻交流高壓試驗(yàn)裝置結(jié)合了現(xiàn)代數(shù)字變頻先進(jìn)技術(shù)，采用微機(jī)控制，升壓、降壓、測量、保護(hù)*自動(dòng)化，并且在自動(dòng)升壓過程中能進(jìn)行人工干預(yù)。由于全電子化，所以體積小重量輕、大屏幕液晶顯示，清晰直觀、且能顯示輸出波形、打印機(jī)輸出試驗(yàn)報(bào)告。設(shè)計(jì)指標(biāo)*符合《電力設(shè)備測試儀器通用技術(shù)條件，第4部分：超低頻高壓發(fā)生器通用技術(shù)條件》電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，使用方便。
2、現(xiàn)在國內(nèi)外均采用機(jī)械式的辦法進(jìn)行調(diào)制和解調(diào)產(chǎn)生超低頻信號(hào)，所以存在正弦波波形不標(biāo)準(zhǔn)，測量誤差大，高壓部分有火花放電，設(shè)備笨重，而且正弦波的二，四象限還需要大功率高壓電阻進(jìn)行放電整形，所以設(shè)備的整體功耗較大。
3、從國內(nèi)外多年的理論和實(shí)踐證明，用超低頻交流高壓試驗(yàn)裝置替代工頻耐壓試驗(yàn)，不但能有同樣的等效性，而且設(shè)備的體積大為縮小，重量大為減輕，理論上容量約為工頻的五百分之一，且操作簡單，與工頻試驗(yàn)相比*性更多。這就是為什么發(fā)達(dá)國家普遍采用這一方法的原因。
XEDCP超低頻耐壓試驗(yàn)裝置
產(chǎn)品參數(shù)
１．輸出額定電壓：參見表1
２．輸出頻率：0.1Hz、0.05Hz、0.02Hz
３．帶載能力：參見表1
0.1 Hz zui大１.1μF
0.05 Hz zui大２.2μF
0.02 Hz zui大5.5μF
４．測量精度：３%
５．電壓正，負(fù)峰值誤差：≤３％
６．電壓波形失真度：≤５％
７．使用條件：戶內(nèi)、戶外；溫度：-10℃∽+40℃；
濕度：≤85％RH
８．電源：交流50 Hz，220V±5%
輸出高壓峰值不穩(wěn)定度：≤1%
9. 輸出電壓頻率不穩(wěn)定度：≤3%
10.電壓波形畸變率：＜5%
11.使用條件：溫度 －100C～＋400C 濕度 ≤85%RH
12.體積YGDP-30/1.1型 320×170×300（mm3）
13.超低頻耐壓試驗(yàn)裝置系列產(chǎn)品主要技術(shù)參數(shù)如下表一
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